GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT是一种适合高电压、大电流应用的理想晶体管。IGBT的额定电压范围为400V至2000V，额定电流范围为5A至1000A，IGBT广泛用于工业应用（例如，逆变器系统和不间断电源（UPS））、消费类应用（例如，空调和电磁炉），以及车载应用（例如，电动汽车（EV）电机控制器）。

IGBT一般分为IGBT单管和IGBT模块。简而言之IGBT电流密度高且功耗低，能够提高能效、降低散热需求，从而有效降低整体系统成本。它们广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、大型家电、焊接以及开关电源（SMPS）等领域。

热限制就是我们脉冲功率，时间比较短，它可能不是一个长期的工作点，可能突然增加，这个时候就涉及到另外一个指标，动态热阻，我们叫做热阻抗。这个波动量会直接影响到IGBT的可靠性，就是寿命问题。你可以看到50赫兹波动量非常小，这个寿命才长。