CMP技术综合了化学和机械抛光的优势：单纯的化学抛光，抛光速率较快，表面光洁度高，损伤低，平整性好，但表面平整度和平行度差，抛光后表面一致性差；单纯的机械抛光表面一致性好，表面平整度高，但表面光洁度差，损伤层深。化学机械抛光可以获得较为平整的表面，又可以得到较高的抛光速率，得到的平整度比其他方法高两个数量级，是能够实现全局平面化的有效方法。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

氧化铝和碳化硅抛光液 是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液，主要成分是微米或亚微米级的磨料。 主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。

在硬化地坪施工进程中，究竟要不要用抛光液进行抛光处理呢？在答复这个问题之前，咱们先要了解什么是地坪抛光液，地坪抛光液能起到什么作用，才能对这个硬化地坪需不需要抛光液的问题进行客观的剖析。地坪抛光液是一种用来进步硬化地坪亮度的产品，也叫做地坪光亮剂、地坪亮光剂、地坪增亮剂、地坪抛光机等等，出产的浓缩型浸透地坪光亮剂，是采用了源自德国的特种高分子材料，具有抗磨损、防刮伤、防刻划的功用。