特点

●IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点。

●具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点。

●具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内。

封装材料 IGBT封装

散热功能 不带散热片

额定正向平均电流 25（A）

反向重复峰值电压 1200V（V）

稳定工作电流 25（A）

功率特性 中功率

关断速度 高频(快速)

极数 三极

频率特性 高频